同时，贵州司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，贵州将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片

福泉伏山（i）循环拉伸模式验证FC-ANF/CNT气凝胶薄膜的抗疲劳性。坪变批（c）FC-ANF/CNT气凝胶薄膜吸收和反射对总EMISE（在12.3GHz处）的贡献（CNT含量的函数）。

主准获（g）不同CNT含量的FC-ANF/CNT气凝胶薄膜的应力-应变曲线。此外，变扩FC-ANF/CNT气凝胶薄膜具有良好的电磁屏蔽性能。（e, f）CNT、建变ANF、ANF/CNT、FC-ANF/CNT气凝胶薄膜的（e）XRD图谱和（f）拉曼光谱。

连续的网络结构使气凝胶具有极低密度、电工超高比表面积和极低热导率等特性，使其在催化剂载体、环境净化、能量存储和热管理等领域具有重要意义。这种多功能的FC-ANF/CNT气凝胶薄膜将在智能薄膜、程核可穿戴电子设备、EMI屏蔽服装和个人热管理系统等领域具有应用前景。

（d）CNT、贵州ANF、ANF/CNT、FC-ANF/CNT气凝胶薄膜的氮吸附-解吸等温曲线。

福泉伏山（h）不同CNT含量的FC-ANF/CNT气凝胶薄膜的杨氏模量和极限强度。有鉴于此，坪变批哈佛大学PhilipKim团队使用这种策略在由单层二硒化钼（MoSe2）和单层二硒化钨（WSe2）构成的范德华异质结构中形成长寿命的层间激子。

有鉴于此，主准获加州大学伯克利分校FengWang、主准获复旦大学YuanboZhang、斯坦福大学DavidGoldhaber-Gordon等团队报道了在1/4填充Mott状态，三层石墨烯（ABC-TLG）/hBN异质结中超导结构的调控变化特征。虽然利用的是最简单的素材和最简单的结合方式，变扩但是从这些简单的积木块出发，发挥创造力，却可以搭建出各种令人惊叹不已的作品。

近日，建变加州大学洛杉矶分校段镶锋和黄昱回顾了这种新兴方法的发展，建变挑战和机遇，将其概括为多维度（超出两个维度）的多种材料系统的灵活整合，并讨论其超出现有材料范围的人造异质结构或超晶格的潜力。纳米分辨电子衍射显示，电工由于轴向位错的应力场，由圆柱形固体端部上的扭矩引起Eshelby扭曲，进而在范德华纳米线中引起手性结构。