司宏国对XR设备的前景表示看好:吉林建立急供我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年,未来2-5年是持续增长期。
电厂地互(a)SIG调控前后的光电流曲线。和储(d)器件在不同温度下的I-V曲线。
煤基(d)SIG调控半导体器件电荷输运特性的示意图。主要研究方向有:联互纳米结构与光电器件,纳米发电机,自驱动传感器等。保机保煤Email:[email protected];[email protected]。
硕士生郑明理为论文第一作者,制确程纲教授和杜祖亮教授为论文的共同通讯作者。吉林建立急供SIG调控器件紫外光检测器的时间分辨的光电流开关曲线(b)及单周期开关曲线的放大图(c)。
电厂地互(c)器件在200次生长循环时的荧光光谱。
基于此原理,和储我们提出了基于摩擦电微等离子体的表面离子栅(SIG)技术。煤基(f)γ-LCSVO-NW和γ-LCSVO-MP的长循环性能。
(a,联互b)γ-LCSVO-NW和γ-LCSVO-MP的CV曲线。分别通过静电纺丝和固相反应制备的两种形态各异的γ-LCSVO材料,保机保煤即γ-LCSVO纳米线(γ-LCSVO-NW)和微米级颗粒(γ-LCSVO-MP),均表现出优异的电化学性能。
制确 图二γ-LCSVO的电化学性能表征。吉林建立急供(d)原始的γ-LCSVO和e)锂化的γ-LCSVO的SAED对比。
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